scienceline.ru

Понедельник, Апр 24th

Last updateПн, 30 Нояб 2015 11am

Самсунг объявляет о новой высокоэффективной NAND памяти 8 гигабит

Самсунг объявляет о новой высокоэффективной NAND памяти 8 гигабит

«Самсунг Электроникс» сегодня объявили о доступности 8-гигабитного чипа OneNAND, технология которого составляет 30 нанометров.

Основанный на технологии одноуровневых флэш ячеек SLC новая высокоплотная OneNAND память оказывается необходимой в качестве запоминающего устройства в смартфонах. Данная тенденция пользуется спросом за счёт повышения использования разных прикладных программ и большого количества программ мультимедиа. Высокоплотная OneNAND память теперь является образцом продукции, выпуск которой запланирован на конец месяца.

«Мы рады заметить, что наше решение о 30 nm-class NAND памяти получило широкое распространение в смартфонах», - говорит Сэйджин Ким, вице-президент по разработке флэш памяти, «Самсунг Электроникс». «Доступность 8-гигабитного чипа OneNAND намного повысит разнообразие наших линий мобильной памяти».

«Наша технология не только удовлетворяет потребностям в более высокоплотной памяти в смартфонах. Благодаря ей также возникнут и новые функции, которые будут представлять собой ценность для потребителя, расширяя тем самым границы рынка OneNAND памяти».

8-гигабитный чип OneNAND является характерной чертой надежности SLC дизайна и доказательством четкой работы OneNAND памяти, которая производит операции со скоростью 70 мегабайт в секунду. Эта скорость в 4 раза больше скорости обычного чипа NAND (17 МБ/с). Эти характеристики и низковольтный дизайн делают этот проект привлекательным решением для работы с данными сенсорных мониторов и смартфонов. В дополнение, применяя продвинутую 30 nm-class технологию, Самсунг сможет поднять продуктивность на 40 процентов выше прежней (40-nm class).

С 2004 года Самсунг использует OneNAND память как высококачественное решение, которое может применяться в дистанционном управлении без необходимости развития отдельной программы.

OneNAND память может быть использована как буферная память не только для того, чтобы «производить запись» в системе (для этого существуют и более быстрые технологии), но также как буфер для более скоростных высокоплотных «читающих» операций благодаря NOR интерфейсу.

Согласно анализу компании iSuppli, исследующей рынок, ожидается, что спрос на встроенную в мобильные телефоны NAND память достигнет 1,1 миллиардов единиц (1 гигабайт) в 2010 году и вырастет до 2,5 миллиардов в 2011 году. Более того, компания предсказывает, что потребность в смартфонах возрастёт до 285 миллионов единиц в 2010 году и до 580 миллионов единиц в 2013 году.